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制备高效硅太阳能电池,需要在整个太阳光谱范围内进行有效陷光和保持低反射率.基于贵金属粒子湿法辅助刻蚀方法,在P型(100)单晶硅表面溅射了一层厚度为1～5 nm的非连续分布Pt粒子层作为催化剂,浸入HF/H2O2的水溶液中进行湿法刻蚀,制备的减反射层在300～800 nm入射光波段范围的平均减反射率低于7%,减反射效果明显优于传统的热碱溶液刻蚀单晶硅所得的织构.通过进一步优化工艺参数,并增镀SiNx等减反射膜,陷光效果将会进一步提高.研究结果为高效太阳能电池的设计提供了新思路.