响应光谱相关论文
本文研究了γ射线辐照对InGaAs红外探测器性能的影响.γ射线的辐照剂量分别为10Mrad、20Mrad、30Mrad.测量了器件在不同γ辐照剂量......
针对采用FTIR方法测量量子型光电探测器的光电流谱并据此校正获得器件的实际响应光谱问题，提出了两种简便可行的校正方案，即计算仪器......
碲镉汞(Hg1-xCdxTe)红外焦平面器件可通过去衬底技术将响应波段从红外拓展到可见光,实现可见到短波红外的宽谱探测,对高光谱成像系......
会议
报道了使用石墨烯作为阳极材料的GaN肖特基型紫外探测器。介绍了光敏面为1mm×1mm的新型肖特基紫外探测器的制备过程。并对器件进......
本文针对碲镉汞红外焦平面探测器的高光谱应用特点和定量化需求,研究了探测器结构对入射光传输过程的影响,研究了表面复合对量子效......
根据光谱测试匹配系数，计算分析了几种常见物体在微光辐射条件下的反射光谱与光电阴极响应光谱。通过对结果的分析，说明光谱匹配系数......
文章在比较几种常见的动态增益均衡器后,提出了一种基于电光滤波技术的动态增益均衡器.这种新的设计方案是在单个LINbO3晶体表面溅......
利用电沉积方法制备了氧化镍及氧化钴电致变色材料并对它们的结构及电色特性进行了研究。两种材料均在可见光范围内表现出良好的电......
碲镉汞(Hg1-xCdxTe)红外探测器已经发展到第三代，红外探测需求的增长也对碲镉汞红外探测器的性能提出了更高的要求。探测器响应率是......
学位
利用晶体结构能带理论分析、获得了不同热应力状态下闪锌矿结构碲镉汞材料禁带宽度的变化规律,同时通过实验测试得到了不同热应力......
近年来，三维有机无机杂化钙钛矿具有优异的光电性能，被广泛应用于光电探测器中。与CH3NH3PbI3(MAPbI3)相比，NH2CH=NH2PbI3(FAPbI3)以......
学位
研究了GaN/AlGaN异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。GaN/AlGaN外延材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生......
在金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法生长的i-Al0.45Ga0.55N/n-Al0.65Ga0.35N/AlN材料结构上,成功研制了零偏暗电流为10-13量级、峰......
通过对p型量子阱红外探测器(QWIP)的自洽计算,得到了量子阱价带的电子结构和器件的光电流谱,并研究了载流子在动量空间分布对p型QW......
期刊
碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Te3)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物。在表面运用透明电极可以得到很高的量子效率。为了......
碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Te3)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物。为了研究γ辐照对碲铟汞肖特基红外探测器的影响,......
研究了Al0.1-Ga0.9N／GaN异质结p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能,P区采用Al组分含量为0．1的AlGaN外延材料形成窗口层，使340-365......
对长波光导MCT红外探测器进行了大电流长时间的冲击,对比了冲击前后探测器的电阻温度特性,并用该参数研究了器件的电学参数;测量了......
采用n型掺杂的AlGaAs/GaAs和AlGaAs/InGaA多量子阱材料,基于MOCVD外延生长技术,利用成熟的GaAs集成电路加工工艺,设计并制作了不同......
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针对采用FTIR方法测量量子型光电探测器的光电流谱并据此校正获得器件的实际响应光谱问题,提出了两种简便可行的校正方案,即计算仪......
研究了HgCdTe液相外延薄膜的纵向组分分布对探测器响应光谱的影响．提出了一种计算HgCdTe红外探测器响应光谱的模型，模型中综合考虑了......
研究了1MeV电子辐照对中波碲镉汞光导器件的影响.通过测试辐照前后光导器件的室温和低温体电阻、响应光谱、电流响应率和探测率等......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
运用直流平面磁控溅射技术在Hg3In2Te6单晶表面制备Pt金属电极，形成Pt／Hg3In2Te6接触，采用I-V测试仪在120260K温度范围内对其I-V特性......
使用傅里叶变换光谱仪(FTIR)测试甚长波宽波段(6.4~15μm)红外探测器响应光谱的过程中,发现短波方向响应光谱异常。通过分步测试分......
