【摘 要】
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测试BaSnO3电阻样品的复阻抗、损耗电学性能,通过对实验结果的分析得知,通过受主Na2CO3及Mn（NO3）2复合掺杂能够有效增加该材料的晶界电阻.同时得出随着Mn（NO3）2掺杂量的增大,材料
【机 构】
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广州大学物理与电子工程学院,中国人民解放军信息工程大学电子技术学院广州训练大队
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测试BaSnO3电阻样品的复阻抗、损耗电学性能,通过对实验结果的分析得知,通过受主Na2CO3及Mn（NO3）2复合掺杂能够有效增加该材料的晶界电阻.同时得出随着Mn（NO3）2掺杂量的增大,材料的电阻增大,且当掺杂量为1.0 mol%时,材料的电阻率为3.3×10^6Ω.cm;而其介电系数与损耗则随着Mn（NO3）2掺杂量的增加而减小,在1 kHz下的介电系数为1.9×10^4,损耗为0.34.
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