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以高纯(6N)Cd、Ge、As单质,按CdGeAs2化学计量比配料,应用传统工艺合成出砷锗镉(CdGeAs2)多晶材料。采用Rietveld法,对合成的CdGeAs2多晶粉末进行了x射线衍射分析及其全谱拟合精修,发现合成材料中含有微量Cd2GeAs4杂相,讨论了Cd2GeAs4产生的原因。为了消除微量杂相,设计出高温熔体机械和温度振荡相结合的方法,并采用新方法成功地合成出高纯单相的CdGeAs2多晶材料。