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以高纯（6N）Cd、Ge和As单质为原料，按CdGeAs2的化学计量比配料，采用机械振荡和温度振荡相结合新方法合成出CdGeAs2多晶锭，经X射线粉末衍......
采用金相显微镜和扫描电镜观察了垂直布里奇曼法生长的新型红外非线性光学晶体砷锗镉（CdGeAs2）单晶片（101）面蚀坑形貌。选择机械研磨、......
对新型中红外非线性光学材料CdGeAs2的多品合成和单品生长进行了研究．以高纯（99．9999％）As、Ge、Cd为原料，按照CdGeAs，化学计量比并适当富C......
以高纯（6N）Cd、Ge、As单质，按CdGeAs2化学计量比配料，应用传统工艺合成出砷锗镉（CdGeAs2）多晶材料。采用Rietveld法，对合成的CdGeAs2多晶......
砷锗镉(CdGeAs2)晶体是一种II-IV-V2族三元黄铜矿结构化合物半导体,熔点约为662℃,是已知非线性光学系数最大(d36=236pm/V)的一种......
