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采用直流反应磁控溅射In/Zn合金靶材在室温下制备了非晶掺锌氧化铟（a-IZO）薄膜,作为沟道层应用于氧化物薄膜晶体管。通过在沉积过程中适当调节氧气压强,制备的a-IZO薄膜的电阻率可具有10^-3～10^6Ω.cm即109倍的变化范围。在氧气压强Po2=5×10^-2Pa制备的薄膜,其可见光范围平均透射率大于85%。试制了基于a-IZO薄膜沟道层的顶栅结构的氧化物薄膜晶体管。测试表明该薄膜晶体管工作在n型沟道增强模式,场效应迁移率为4.25 cm^2V-1s-1,电流开关比约为103。实验结果