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退火温度对SOI材料与器件性能的影响
退火温度对SOI材料与器件性能的影响
来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tony_guang
【摘 要】
:
在注氧形成的SOI衬底上制作了P型MOSFET。本文研究了不同退火温度对材料形成与器件性能的影响。结果表明,1300℃以上的退火有利于改善SIMOX(Separation by ImplantedOxygen)
【作 者】
:
施左宇
林成鲁
朱文化
邹世昌
李金华
【机 构】
:
中科院上海冶金研究所离子束开放实验室,常州半导体厂
【出 处】
:
固体电子学研究与进展
【发表日期】
:
1992年3期
【关键词】
:
SOI
退火
迁移率
半导体材料
器件
SOI
SIMOX
Annealing
Mobility
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在注氧形成的SOI衬底上制作了P型MOSFET。本文研究了不同退火温度对材料形成与器件性能的影响。结果表明,1300℃以上的退火有利于改善SIMOX(Separation by ImplantedOxygen)材料性能,MOS晶体管具有非常低的漏电流。更多还原
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