【摘 要】
：
应力记忆工艺(SMT)通过在NMOS器件沟道中产生张应力,提高器件的电子迁移率,从而提升NMOS器件的性能.Si3N4层应力值、SiO2层厚度以及退火顺序等三种因素,均对NMOS器件的性能产
【机 构】
：
中国科学院大学微电子学院,北京,100029;中芯国际集成电路制造有限公司,北京,100176
论文部分内容阅读
应力记忆工艺(SMT)通过在NMOS器件沟道中产生张应力,提高器件的电子迁移率,从而提升NMOS器件的性能.Si3N4层应力值、SiO2层厚度以及退火顺序等三种因素,均对NMOS器件的性能产生影响,增加了SMT工艺应用的难度.对三组实验结果进行分析,研究了三种因素对NM()S器件性能的影响,优化了工艺条件.结果 表明,NMOS器件应用SMT工艺后,饱和漏极电流-关态漏极电流(Idsat-I.ff)较传统NMOS器件提高了6％.
其他文献
摘 要：多年以来，我国农村的能源问题一直是全社会重点关注的问题面对污染越来越严重的农村能源污染问题，尽快的推广清洁能源是目前需要进行的工作。沼气作为一种清洁能源，不但可以解决我国农村能源污染的问题，还可以满足我国农村人民的生活所需。更重要的是，沼气的推广，可以改善我国农村的卫生状况，让人民更好的生活。 关键词：农村沼气；建设现状；发展对策 近年来，我国的沼气发展取得了很大的进步，给农村人民的生
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥
实验室制备了无水硫铝酸钙( C4 A3(S))单矿物,采用紫外-可见吸收光谱法测定氨基磺酸盐高效减水剂(简称“AS减水剂”)在C1A3(S)单矿物及其混合料(C1A3(S) +Ca(OH)2+CaSO4·2H2
为解决闩锁效应,设计了一种新颖的异质结双极晶体管触发可控硅(NHTSCR).利用异质结晶体管串联反向异质结晶体管来分流SCR的方法,抑制电导调制效应,提高了维持电压.分析了提高
土豆(马铃薯)早熟品种是指出苗后60-80天内可以收获的品种,包括极早熟品种(60天)、早熟品种(70天)、中早熟品种(80天),这些品种生育期短,植株块茎形成早,膨大速度快,块茎休眠
土耳其是一个横跨欧亚大陆的伊斯兰教国家，被称为“文明的摇篮”。穆斯塔法·凯末尔·阿塔土克于1923年10月29日建立了土耳其共和国。历史上的土耳其曾经是罗马帝国、拜占庭帝国、奥斯曼帝国的中心，有着6500年悠久历史和前后十三个不同文明的历史遗产，加上三面环海的地势和内陆复杂的地理环境使其拥有了极为丰富的旅游资源。土耳其同时也是一个现代化国家，有着一流的旅游服务设施。这里有热情好客的人民、灿烂的文化
变性梯度凝胶电泳(DGGE)是一种分析微生物区系的分子指纹技术.概述DGGE的基本原理、发展和应用现状,着重阐述该技术在评价发酵食品的细菌群落组成和动态变化、区分发酵食品、