【摘 要】
:
用射频磁控溅射的方法在石英衬底上沉积了氧化锌薄膜.在室温下测量了样品的XRD曲线、吸收光谱以及光致发光光谱,探讨了气氛中氧气与氩气比对制备薄膜的影响.从XRD谱中可以看
【机 构】
:
北方交通大学光电子技术研究所,信息存储、显示与材料开放实验室
论文部分内容阅读
用射频磁控溅射的方法在石英衬底上沉积了氧化锌薄膜.在室温下测量了样品的XRD曲线、吸收光谱以及光致发光光谱,探讨了气氛中氧气与氩气比对制备薄膜的影响.从XRD谱中可以看出,样品具有较好的结晶状态.另外,样品在紫外有较强的吸收,而其光致发光也是较强的紫外发射,这表明带间跃迁占了主导地位.以上结果说明:用溅射方法制备的ZnO薄膜结晶质量较好,富锌状态有所改善.
其他文献
研究了由噻吩乙烯发色团单元和惰性寡甲撑单元组成的交替嵌段聚合物与小分子量染料[2-methyl-6[(2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H-benxo[ij]quinolixin-q-yl)ethenyl]-4H-pylidene]
掺N非晶金刚石Ta-C(N)薄膜是合成β-C3N4研究中出现的一种新型固体薄膜材料,近年来由于其优异的电化学性能受到越来越多的关注.我们用磁过滤阴极真空弧等离子体沉积(FCVAD)方
以富勒烯C60作为空穴注入缓冲层,在结构为ITO/C60/TPD/Alq3/LiF/Al的器件中,改善了器件的发光效率.研究了C60厚度对器件发光特性的影响.当C60厚度为1.6nm时,器件发光效率最高
采用室温下微区Raman散射方法,观测到了GaInP2的LO双模行为和禁戒的TO模,由于晶格有序导致晶体对称性从Td降低为C3v,从而使禁戒的TO模变为Raman活性。在所有的样品中都观测到了
用在聚甲基丙稀酸甲脂(PMMA)中掺杂邻羟基亚甲基苯胺(SA)样品,实现了可见光区域的可擦除光存储.以Ar+激光488.0 nrn线为写入光,He-Ne激光632.8 nm线为读出光,研究了光栅生长
分别合成了稀土(Eu3+和Tb3+)与柠檬酸、1,10-菲咯啉配位的稀土配合物.通过元素分析和红外分析确定了配合物的组成.通过荧光光谱与荧光寿命的测试,研究了它们的荧光性质.结果
通过对不同气氛条件下退火的PbWO4(PWO)单晶样品的激发谱与发射谱的对比研究,发现真空退火从整体上抑制PbWO4的发光强度,氧空位(VO)缺陷是420nm吸收和红光发射的原因,而空气
采用MOCVD技术以Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜.以卢瑟福背散射/沟道技术和光致发光技术对InxGa1-xN/GaN/Al2O3样品进行了测试.获得了合金层的组分、厚度、结晶品
报道了Y2O3:Eu3+纳米晶与体材料在光谱上的显著区别.除了相同于Y2O3:Eu3+体材料在580.6nm处的激发峰外,Y2O3:Eu3+纳米晶在579.9nm处出现了一新的较宽激发线.并且,该激发线的
研究了GdVO4:Eu3+在高压汞灯的313和365nm激发下室温以上(300~600K)发光的温度依赖关系。发现来自5D0的发射强度随温度的升高而显著增强,直到600K也未见饱和。其中5D07F2的619nm