【摘 要】
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通过对CLBO晶体半固结磨粒研磨过程进行研究,经过粗研和精研后,CLBO晶体表面粗糙度达到1ns且表面无划痕。并从加工表面的扫描电镜图可知,CLBO晶体半固结磨粒研磨的材料去除机
【机 构】
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衢州学院信电系,浙江工业大学机械制造及自动化教育部重点实验室,
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通过对CLBO晶体半固结磨粒研磨过程进行研究,经过粗研和精研后,CLBO晶体表面粗糙度达到1ns且表面无划痕。并从加工表面的扫描电镜图可知,CLBO晶体半固结磨粒研磨的材料去除机理是延性去除模式。
Through the study of CLBO crystal semi-consolidated abrasive grinding process, after rough grinding and lapping, the surface roughness of CLBO crystal reaches 1ns and the surface has no scratches. From the scanning electron micrograph of the machined surface, it can be seen that the material removal mechanism of CLBO crystal semi-consolidated abrasive grain is ductile removal mode.
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