一种新型2.4GHz SiGe BiCMOS低噪声放大器

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基于窄带低噪声放大器理论,设计了一种2.4GHz,具有低功耗、低噪声和良好匹配性等优点的新型BiFET结构SiGeBiCMOS低噪声放大器。采用TSMC0.35/μmSiGeBiCMOS工艺库,利用SpectreRF软件的仿真结果显示,该电路具有2.27dB低噪声系数,11.5dB正向增益;2V工作电压下,其功耗仅为6.1mw。研究结果表明,该低噪声放大器在射频蓝牙系统中具有一定的应用前景。
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