BiFET相关论文
创维公司正在开发一种高创新性的双极场效应晶体管(BiFET)工艺技术用于其GaAs基产品。该公司称,这将使其代表性产品更加五彩缤纷,......
设计了一种采用BiFET结构的低噪声放大器(LNA),这种结构通过BiCMOS工艺使低噪声放大电路集合了双极型晶体管的低噪声特性和CMOS晶......
为了提高转换速率和降低偏压漂移,运用了由一个双极运算放大器和一个 BIFET 运算放大器倒相组合成的混合运算放大器这类组合运算......
基于窄带低噪声放大器理论，设计了一种2．4GHz，具有低功耗、低噪声和良好匹配性等优点的新型BiFET结构SiGeBiCMOS低噪声放大器。采用TS......
为了获得既具有双极型大功率特性又具有M0SFET的控制功率小和快速开关特性的器件,根据现有的工艺条件和技术水平,设计了耐压大于50......
