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本文用Ｔ．Ｂ．－Ｒｏｃｕｒｓｉｏｎ方法计算了化合物半导体ＣｄＳｅ和ＺｎＳｅ的状态密度曲线，求出了费米能级和带隙，与实验结果符合得很好。
化合物半导体CdSe和ZnSe材料的状态密度
【摘 要】
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本文用Ｔ．Ｂ．－Ｒｏｃｕｒｓｉｏｎ方法计算了化合物半导体ＣｄＳｅ和ＺｎＳｅ的状态密度曲线，求出了费米能级和带隙，与实验结果符合得很好。
【机 构】
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沈阳工业大学基础部,东北微电子研究所
【出 处】
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辽宁大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1995年4期
【基金项目】
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省教委科学基金
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