【摘 要】
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本工作以~(60)Co作为γ辐射源,在7.6 ×10~3至6.9 ×10~4伦琴剂量范围内,研究了Al-SiO_2-Si/n系统的辐照感应氧化层有效电荷、界面态与辐照剂量的关系.也研究了这些界面效应
【机 构】
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杭州大学物理系,杭州大学物理系,杭州大学物理系
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本工作以~(60)Co作为γ辐射源,在7.6 ×10~3至6.9 ×10~4伦琴剂量范围内,研究了Al-SiO_2-Si/n系统的辐照感应氧化层有效电荷、界面态与辐照剂量的关系.也研究了这些界面效应的退火特性.此外,还对实验结果作了分析和讨论.
In this work, the effective charge of the radiation-induced oxide layer of Al-SiO_2-Si / n system was studied using ~ (60) Co as γ radiation source in the range of 7.6 × 10 ~ 3 to 6.9 × 10 ~ 4 Roentgen. The interface State and irradiation dose.The annealing properties of these interface effects were also studied.In addition, the experimental results were also analyzed and discussed.
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