【摘 要】
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本文介绍了工作温度为193K、3～5μmHgCdTe光电导工作模式,论述了器件的量子效率η,电压响应率R_V,探测器的D,响应时间τ峰值波长λ_p及光电导增益等参数及其与电子迁移率μ_e
【机 构】
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昆明物理研究所,昆明物理研究所,昆明物理研究所,
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本文介绍了工作温度为193K、3～5μmHgCdTe光电导工作模式,论述了器件的量子效率η,电压响应率R_V,探测器的D,响应时间τ峰值波长λ_p及光电导增益等参数及其与电子迁移率μ_e、载流子浓度n等材料参数的关系。并给出国内若干器件与Mullard公司的M114产品的工作性能参数测试的对比结果。
In this paper, the operating mode of photoconduction at 193K and 3 ~ 5μmHgCdTe is introduced. The quantum efficiency η, voltage response R_V, detector D, peak wavelength λ of response time τ and photoconductive gain are discussed. Mobility μ_e, carrier concentration n and other material parameters. The comparison of the performance parameters of M114 products of several domestic devices and Mullard company is given.
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