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用平均键能方法，研究了ＡｌＮ与ＧａＮ自由应变生长，以ＡｌＮ为衬底和ＧａＮ衬底等三种不同应变状态下ＡｌＮ／ＧａＮ应变层异质结的价带偏移。着重尝试了能带中含浅ｄ态的情况下，用平均键能方法计算异质结的ΔＥｖ值。由于目前还没有可供比较的实验值或理论计算结果，为检验平均键能方法计算的可能性，又采用能同时计入各种影响ΔＥｖ因素的较严格的超原胞（ＡＮ）ｎ（ＧａＮ）ｎ（００１），（ｎ＝１，３，５）界面自洽计算方法