1．3μm自组织InGaAs／InAs／GaAs量子点激光器分子束外延生长

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ghostwh

【摘要】

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报道了分子束外延生长的1．3μm多层InGaAs／InAs／GaAs自组织量子点及其室温连续激射激光器．室温带边发射峰的半高宽小于35meV，表明量子点大小比较均匀．原子力显微镜图像显示，量子点密

【作者】

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牛智川倪海桥方志丹龚政张石勇吴东海孙征赵欢彭

【机构】

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中国科学院半导体研究所

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2006年3期

【关键词】

：

量子点砷化铟激光器 quantum dot InAs laser diode

【基金项目】

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国家自然科学基金,国家高技术发展研究计划及国家重点基础研究发展计划资助项目.

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报道了分子束外延生长的1．3μm多层InGaAs／InAs／GaAs自组织量子点及其室温连续激射激光器．室温带边发射峰的半高宽小于35meV，表明量子点大小比较均匀．原子力显微镜图像显示，量子点密度可以控制在（1～7）×10^10cm^-2范围之内，而面密度处于4×10^10cm^-2时有良好的光致发光谱性能．含有三到五层1．3μm量子点的激光器成功实现了室温连续激射．

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