局域寿命控制相关论文
提出了一种具有局域寿命控制的FS结构IGBT，建立了局部寿命控制区引入后的电流下降过程的瞬态模型，数值分析结果表明：FS-IGBT的基区中......
提出了一种采用低能量大剂量 He离子注入局域寿命控制的高速 L IGBT,并对其进行了实验研究 .粒子辐照实验结果显示与常规的 L IGBT......
提出了一种具有局域寿命控制的FS结构IGBT，建立了局部寿命控制区引入后的电流下降过程的瞬态模型，数值分析结果表明：FS-IGBT的基......
提出了一种具有阳极短路结构的局域寿命控制IGBT器件。仿真结果表明，该结构器件具有比阳极短路IGBT和局域寿命控制IGBT更优的正向压......
智能功率集成电路(SmartPowerIC。，SPIC)将功率MOS器件与控制和保护电路单片集成，不仅提高了系统的可靠性，而且减少了系统的体积、重......
该项目研究的领域是半导体功率开关器件,研究对象为高压功率快恢复二极管(FRD).高压功率快恢复二极管是功率电子技术中的关键元件,......
研制出Ｈｅ离子注入局域寿命控制ＳＯＩ横向绝缘栅双极晶体管（ＳＯＩ－ＬＩＧＢＴ），有效地提高了器件的关断速度，且与集成电路工艺相兼容。数值模拟表明，该器件的t_f～V......
提出一种低能He注入局域寿命控制电导调制型功率器件的双极输运模型.借助三区双极输运方程导出稳态的非平衡载流子浓度分布和正向......
利用质子辐照感生的空位缺陷对铂原子的汲取作用,获得了局域寿命控制,辅以能量为4MeV电子辐照整体寿命控制技术,在具有低阳极发射......
提出了局域寿命控制下的NPT-IGBT稳态模型，通过与二维器件数值仿真比较，表明模型结果和仿真结果能较好地吻合，基于该模型，详细地分析了......
提出了一种采用低能量大剂量He离子注入局域寿命控制的高速LIGBT，并对其进行了实验研究．粒子辐照实验结果显示与常规的LIGBT相比较，该......
采用混合器件模型研究了局域寿命控制技术对快速软恢复功率二极管静态和动态特性的影响，模拟结果表明，低寿命区的最佳位置处于基区靠......
电导调制型功率器件，如绝缘栅双极型晶体管（IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor）是现代电力电子电路中常采用的关键器件。这类器......
提出了局域寿命控制下NPT-IGBT的瞬态模型,并与数值分析结果进行了对比,验证了模型的正确性.该模型采用了准静态近似,将关断过程分......
针对局域低寿命区的参数对快恢复硅功率二极管性能的影响进行了系统的仿真研究，得到了全面系统的研究结果，其中包括局域低寿命区在二......
快恢复二极管(FRD)主要参数包括:反向恢复时间trr,软度因子S和反向恢复峰值电流Irr。为了减小trr,工业技术从使用金扩散技术到铂扩......
利用质子辐照形成的集中于射程末端的高密度缺陷在退火时对铂的吸杂作用 ,实现了硅高压功率P i N二极管的局域铂掺杂。经过 70 0°......
