(HgCd)Te探测器-光吸收系数控制器组件的实验研究

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(HgCd)Te探测器具有较为明显的弗兰兹 凯尔迪什效应 ,且其弗兰兹凯尔迪什效应有效强度的强弱与(HgCd)Te探测器的外加偏压有关。据此制作了 (HgCd)Te探测器的光吸收系数控制器 ,并用 (HgCd)Te探测器和光吸收系数控制器组成一个组件 ,实验证明了该组件既能提高输出信号 ,又能实现强光保护 ,这在实际应用中具有一定的价值。 (HgCd) Te detector has obvious Franz Keldhish effect, and the strength of the effective strength of the Franz-Keltis effect is related to the bias voltage of the (HgCd) Te detector. Based on this, a HgCd Te detector optical absorption coefficient controller was fabricated and a component of (HgCd) Te detector and optical absorption coefficient controller was fabricated. The experiment proves that the HgCd Te detector can not only improve the output signal but also realize the protection of glare , Which has some value in practical application.
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