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本文报告用ＰｎｐＮ型ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ结构的光电子双稳器件形成的光子平行存贮器单元器件和４×４阵列器件的特性，单元器件的最小维持功耗小于３０μＷ，使器件从“关闭”态翻转到“导通”态所需的光触发功率小于８０μＷ，单元面积１６０×１６０μｍ，间距４０μｍ的存贮器４×４原理性阵列已经研制成功，这是０．８５μｍ波长范围的光子平行存贮器的首次报道。