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采用双离子束溅射法制备了SiOx：C非晶薄膜，在室温下可观察到薄膜样品有强的420nm（紫光）、470nm（蓝绿光）的光致发光（PL）。分别对样品在不同温度下退火后，PL测试显示随着退火温度的升高420nm处的峰带逐渐增强变为强的发光峰；470nm处的发光峰位来自于硅基薄膜中富硅引起的中性氧空位缺陷（O3≡Si—Si≡O3），是由与氧原子配位的二价硅的单态一单态之间的跃迁所致；420nm范围的峰带可能来自于薄膜中由C单质、以及Si、O、C三者组成的一个复杂结构。