【分类号】：TN752
　　摘要：忆阻器是继电阻、电容和电感之后进入主流电子领域后的第四种无源电路元件。在1971年，由华裔科学家蔡教授首先发现并阐述理论基础，到后来科学家的辛苦研究，使忆阻器的理论逐步清晰，技术逐渐成熟，忆阻器的产品离我们的生活越来越近。虽然目前相关产品很少，但是通过研究忆阻器的性能和知识，我们会再开发出更多更好的电子产品，未来的电子产品会因为忆阻器的出现而改写历史，制造出功能，巨大体积很小，具有记忆、快速、大规模集成的新一代电子产品。
　　关键词：忆阻器；概念；三明治模型；分析
　　一、忆阻概念的提出
　　二、忆阻器概念的理解
　　一个关于忆阻器最为通俗的理解，就是把忆阻器想象成一个流水的管道。若流过的水是电荷，则电阻对电荷的阻碍作用就相当于管道的直径：管道越窄，阻碍越大。对于传统的电阻器，对应的是固定的管道直径。对于忆阻器，管道直径要随流经管道的水的流量和方向而变化。如果水流一直朝一个方向，则管道变粗（阻碍变小），如改变水流方向，则管道会缩细（阻碍变大）。当水流通过时，忆阻器能够记下管道直径的最近值，此时若关掉水流，记下的直径被“冻结”，直到水流重新流过。
　　三、忆阻器的三明治模型
　　五、结论
　　由惠普公司的三明治模型，经过简单推导，我们得出到（8）式。由（8）式，看出忆阻器必须要做成纳米元件的原因是因为M和D的平方成反比，因此尺寸越小，D越小，M的绝对值越大，忆阻器效用越明显。纳米尺寸的忆阻器的性能比微米量级忆阻器高一百萬倍。我们可以得出以下结论：
　　纵横闩结点（TiO2与TiO2-x层）越薄，忆阻器性能越好。
　　M的绝对值和离子迁移率为成正比，越大忆阻器功能越好。
　　由于M和D的平方成反比，忆阻器做成纳米量级的器件可以发挥更大的作用。
　　参考文献：