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期刊论文
低能离子注入对CuxS薄膜组分的影响
低能离子注入对CuxS薄膜组分的影响
来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:F8251256
【摘 要】
:
采用N^+离子注入的方法,对气-固化学 反应生成的CuxS薄膜进行了掺杂,研究了N^+离子注入能量和剂量对CuxS薄膜组分的影响。结果表明,离子注入改变了CuxS薄膜铜与硫的比例,使薄膜组分更接近于富铜型,样
【作 者】
:
郑建邦
刘效增
【机 构】
:
西安交通大学电信学院
【出 处】
:
半导体光电
【发表日期】
:
2000年3期
【关键词】
:
离子注入
CuxS薄膜
富铜型薄膜
组分
光电半导体
ion beam implantation Cu_xS thin film rich copper pha
【基金项目】
:
国家自然科学基金资助项目 !(19775 0 39)
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采用N^+离子注入的方法,对气-固化学 反应生成的CuxS薄膜进行了掺杂,研究了N^+离子注入能量和剂量对CuxS薄膜组分的影响。结果表明,离子注入改变了CuxS薄膜铜与硫的比例,使薄膜组分更接近于富铜型,样品的X射线衍射图谱和透射光谱研究进上步证实了这种结构转变的存在。
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