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VO2是一种热致相变材料。发生相变时,VO2的电阻、红外光透过率、反射率都会发生显著变化。采用直流反应磁控溅射法,通过改变氧氩比(O2:Ar)、工作气压、衬底温度等制备工艺参数,研究了工艺参数对VO2薄膜的结构、电阻-温度性能的影响。结果表明,当氧氩比为1.0:15、212作气压为2.0Pa时,制备的薄膜中VO2的含量较多;衬底温度为250℃时,制备的VOx薄膜的电阻-温度突变性能最佳。