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在室温衬底上用真空蒸发CuInSe2薄膜的方法
在室温衬底上用真空蒸发CuInSe2薄膜的方法
来源 :云南师范大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lifeng58
【摘 要】
:
本文提出一个制造CuInSe_2薄膜的新途径,在室温衬底上在真空中加热蒸发铜铟与硒的元素,后在空气中热处理,制出的薄膜为黄铜矿结构及具有制造太阳电池需要的性能。有利于简化
【作 者】
:
方宝贤
陈二永
王东城
廖华
【机 构】
:
波士顿学院空间研究所,云南师大太阳能研究所
【出 处】
:
云南师范大学学报:自然科学版
【发表日期】
:
1993年3期
【关键词】
:
真空蒸发
薄膜
太阳能电池
CIS薄膜
Room tempcrature substract Vacuum evaporation CuInSe_2 thin
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本文提出一个制造CuInSe_2薄膜的新途径,在室温衬底上在真空中加热蒸发铜铟与硒的元素,后在空气中热处理,制出的薄膜为黄铜矿结构及具有制造太阳电池需要的性能。有利于简化生产工艺,工业化、廉价地生产太阳电池。
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