AgGa1-x Inx Se2单晶的生长研究

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:O70607227
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采用高纯(99.9999%)Ag、Ga、In和Se单质为原料,按化学计量比富Se0.3-0.5%配料,通过机械振荡和温度振荡相结合的方法合成出单相高致密AgGa1-xInxSe2多晶材料。以此为原料采用布里奇曼法生长出外观完整的尺寸为φ15mm×25mm的AgGa1-xInxSe:单晶锭(x=0.2)。沿自然显露面对晶体进行了解理和x射线衍射分析,发现该面是(101)面。同时进行了红外透过率测试,其红外透过率为41%。
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