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用直流反应溅射淀积的AlN薄膜包封介质对GaAs进行了贯穿注入和包封退火,用电化学C-V法测量载流子的分布,实验结果与TRIM模拟结果符合得很好,用50nm的AlN包封进行贯穿注入和退火,得到了较小的标准偏差,较陡峭的载流子分布和较高的激活率,应用AlN包封层后,当注入能量180keV,注入剂量7.5×10^13cm^-2时,所得到的最高载流子浓度为1.84×10^18cm^-1样品方块电阻为11