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对PMOSFET's几种典型器件参数随应力时间的退化规律进行了深入研究，给出了一个新的器件退化监控量，并建立了不同器件参数退化的统一模型。模拟结果和测量结果的比较表明，新的退化模型具有较高的准确性和较宽的适用范围。新的退化模型不但可以用于器件参数退化量的模拟，也可以用于器件寿命评估。
PMOSFET‘s热载流子退化模拟及寿命评估的统一模型
【摘 要】
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对PMOSFET's几种典型器件参数随应力时间的退化规律进行了深入研究，给出了一个新的器件退化监控量，并建立了不同器件参数退化的统一模型。模拟结果和测量结果的比较表明，新
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2001年12期
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