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我们利用分子束外延方法研制了GaAs/AlGaAs缓变折射率分别限制(GRIN-SCH)单量子阱和双量子进激光器。对腔长600μm的端面不镀膜的宽接触条型F-P腔激光器,阈值电流密度(平均值)分别为290A/cm^2和240A/cm^2。腔长在1200μm的双量子阱激光器的阈电流密度低达190A/cm^2。对出光面的斜率达到1.04W/A;利用湿法化学腐蚀激光器,线性输出功率高达1.82W;出光面