单点圆形模型──直线四探针测量金属/半导体的接触电阻率

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lovejr622
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文提出一种用直线四探针测量金属/半导体欧姆接触的电阻率pc的简捷方法-单点圆形模型,样品制备只需一个圆形金属电极,导出了pc的表达式。如果样品不是半无限大,而是有一定厚度的薄片,则必须进行了修正,给出了导电与绝缘界面两种情况的修正因子。根据这个模型,进行实验测量和计算,所得结果与文献报道一致。
其他文献
本文报道弹性应变及结构参数对 InAs/GaAs应变层超晶格导带、价带不连续性及其子能带结构的影响.通过分析流体静应力和单轴应力对体材料带边能带位置的影响,确定了 InAs/GaAs
1990年代以来,以MIT的开放课件(OCW)运动为代表,开放共享教育资源、推动教育公平已经成为一种世界潮流。精品课程建设项目是我国开放教育资源的重要举措。但是在精品课程项目建设
自升本以来,我院不断强化内涵建设、提高教学质量、突出专业特色、培养优秀人才。加快建设合格本科院校步伐,取得了阶段性成绩。在各系部、各相关职能部门的精心准备下,4月2日,省
实践证明,以教育心理学理论为依据,研究用教学评价系统的即时反馈、积分升级策略激发信息技术课堂学生的学习动机,能有效地激发学生的学习动机,辅助教师开展日常教学、管理、评价
论述在建构主义理论指导下,即时反馈策略、积分升级策略、同伴策略在程序设计特色课程教学评价中具体的应用办法和起到的作用,强调在问题解决过程中“学中做和做中学”,取得较好
本文研究了发可见光的多孔硅薄膜及其粉末的电子顺磁共振(EPR)信号。采用不同电阻率和不同晶向的硅单晶衬底,经过不同条件的阳极氧化制成多孔硅薄膜,其光致发光峰在可见光范
研究了离子注入展宽p-n结终端工艺,介绍了离子注入剂量或者注入净电荷选择理论.实验证明采用本工艺获得产品的击穿电压高于耗尽层刻蚀工艺所得产品的击穿电压.
根据GaP∶N(Te)的光致发光和喇曼光谱,提出了GaP∶N发光中的光学声子双伴线可能分别由LO<sup>г</sup>和它的束缚态LO<sub>XN</sub><sup>г</sup>对所产生的初步设想.另外,尝试
本文研究了MOSFET的电离辐照效应,给出了辐照在MOSFET栅介质中引起氧化物电荷对阈电压的贡献与辐照剂量和栅偏置电场的相互依赖关系.结果表明,辐照引起的氧化物电荷与管子的
从TRIZ理论入手,在介绍TRIZ冲突这一核心要领上,引出TRIZ的创新原理,并将创新原理应用到电子商务教学中,优化了教学体系,加大了对学生创新思维的训练力度,提高了学生的创新能力。