【摘 要】
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本文提出了一个利用载流子填充电容瞬态初始时间变化率,准确测量在绝缘体与半导体界面上的界面态俘获截面的方法,其中考虑了电荷势反馈效应对载流子填充过程的影响,并给出准确计算这种影响的简单方法.将这一方法用于测量n型硅MOS电容器中的Si-SiO_2界面态.结果表明其电子俘获截面强烈地依赖于温度和能量.
【出 处】
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中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学)
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本文提出了一个利用载流子填充电容瞬态初始时间变化率,准确测量在绝缘体与半导体界面上的界面态俘获截面的方法,其中考虑了电荷势反馈效应对载流子填充过程的影响,并给出准确计算这种影响的简单方法.将这一方法用于测量n型硅MOS电容器中的Si-SiO_2界面态.结果表明其电子俘获截面强烈地依赖于温度和能量.
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