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合成了新型的有机半导体LB膜气敏材料(CoTDMAPP),其LB多层膜拉制在场效应晶体管上,形成了具有LB-OOSFET结构的化学场效应晶体管,该器件置于NO2,NH3,CO和H2S等有害气体中,结果表明在NO2气氛中元件漏电流IDS发生变化,并可检测到2ppm的NO2。这种器件的气敏特性在于FET的电流放大作用及LB膜的有序性的影响。