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合成了新型的有机半导体ＬＢ膜气敏材料（ＣｏＴＤＭＡＰＰ），其ＬＢ多层膜拉制在场效应晶体管上，形成了具有ＬＢ－ＯＯＳＦＥＴ结构的化学场效应晶体管，该器件置于ＮＯ２，ＮＨ３，ＣＯ和Ｈ２Ｓ等有害气体中，结果表明在ＮＯ２气氛中元件漏电流ＩＤＳ发生变化，并可检测到２ｐｐｍ的ＮＯ２。这种器件的气敏特性在于ＦＥＴ的电流放大作用及ＬＢ膜的有序性的影响。