【摘 要】
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响应于１～３μｍ红外波段的ＭＯＣＶＤ－ＨｇＣｄＴｅ红外探测器件马可军，俞振中（上海技术物理研究所上海２０００８３）我们采用ＩＭＰ工艺生长出了组分处于０．４～０．７μｍ范围内的ＨｇＣｄＴｅＭＯＣＶＤ晶膜材料，随后对晶膜进行热处理，使之具有合适的空穴浓度...
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响应于１～３μｍ红外波段的ＭＯＣＶＤ－ＨｇＣｄＴｅ红外探测器件马可军，俞振中（上海技术物理研究所上海２０００８３）我们采用ＩＭＰ工艺生长出了组分处于０．４～０．７μｍ范围内的ＨｇＣｄＴｅＭＯＣＶＤ晶膜材料，随后对晶膜进行热处理，使之具有合适的空穴浓度...
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