【摘 要】
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日本NEC光电研究实验室介绍了一种新型高性能1.3μm InGaAsP半导体激光器,在这种激光器中电流可有效地限制到有源区中。在双异质结构片中用双沟限定的条形有源台面的两边,用
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日本NEC光电研究实验室介绍了一种新型高性能1.3μm InGaAsP半导体激光器,在这种激光器中电流可有效地限制到有源区中。在双异质结构片中用双沟限定的条形有源台面的两边,用液相外延方法制作p-n-p-n电流阻挡结构。由于改进了电流阻挡结构,DC-PBH LD具有良好的激光器性能。例如,微分量子效率很高,最大值达78％,由此得到43％很高的光-电
Japan’s NEC Optoelectronics Research Laboratory introduced a new high-performance 1.3μm InGaAsP semiconductor laser, in which the current can be effectively limited to the active area. P-n-p-n current blocking structures were fabricated by liquid-phase epitaxy on both sides of a double-channel active mesa confined by a double trench. Due to the improved current blocking structure, DC-PBH LD has good laser performance. For example, differential quantum efficiency is very high, the maximum value of 78%, resulting in 43% of the high light - electricity
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