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详细研究了超薄Ni薄膜中的电子输运性质.我们发现在3～16 nm厚的Ni薄膜中低温时存在弱局域对纵向电阻率、反常霍尔电阻率和反常霍尔电导率的修正.我们得到弱局域对AH电导率修正的大小随样品无序程度的改变而改变,这和多晶Fe薄膜中得到的结果一致.通过分析弱局域对AH电导率的修正,我们判断出不同样品中斜散射机制和边跳机制分别对AH电导率贡献的大小.