【摘 要】
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通过激光二极管速率方程模拟得出了优化芯片高频性能的基本途径,权衡直流特性和实际生产过程,对腔面反射率、腔长和量子阱结构进行了优化。建立激光二极管小信号等效电路模型
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所,
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通过激光二极管速率方程模拟得出了优化芯片高频性能的基本途径,权衡直流特性和实际生产过程,对腔面反射率、腔长和量子阱结构进行了优化。建立激光二极管小信号等效电路模型,对芯片寄生网络进行了优化。测试了25~125℃下芯片的P-I特性,25℃时芯片的阈值电流仅为7.4 m A;芯片温度为25~45℃时,特征温度为102 K;芯片温度为105~125℃时,特征温度为57 K。在25和85℃时,激光二极管在直流偏置30 m A的3 d B频带响应分别为12.8和10.4 GHz。芯片被封装为光发射次模块(TOSA)后,-40,25和85℃下的眼图均满足10 Gbit/s光通信系统的应用要求。
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