【摘 要】
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对低压下铜化学机械抛光（CMP）碱性抛光液的性能进行了研究.在分析碱性抛光液作用机理的基础上,对铜移除速率、表面粗糙度等性能进行了考察.结果表明：加入络合剂R NH2 OH实现铜在
【机 构】
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河北工业大学化工学院,河北工业大学微电子技术研究所
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对低压下铜化学机械抛光（CMP）碱性抛光液的性能进行了研究.在分析碱性抛光液作用机理的基础上,对铜移除速率、表面粗糙度等性能进行了考察.结果表明：加入络合剂R NH2 OH实现铜在碱性抛光液中的溶解,同时提高了的铜移除速率（41.34kPa：1050nm/min;6.89 kPa：440nm/min）并降低了表面粗糙度：在较高压力（41.34 kPa）下,铜晶圆表面粗糙度虽然从18.2 nm降至2.19 nm,但仍有明显的划伤存在,并且最大划伤达到了18.2 nm;在低压下（6.89 kPa）,铜晶圆表面
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