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在运用ＳｉＧｅ脊形波导单模条件和有效折射率法分析ＳｉＧｅ／Ｓｉ定向耦合器结构参数基础上，采用分子束外延和各向异性腐蚀技术制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ单模定向耦合器。在波长为１．３μｍ时，平均串音小于－１８．１ｄＢ，输出功率耦俣效率达到９８．１％。
Si1—x Gex／Si定向耦合器的研制
【摘 要】
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在运用ＳｉＧｅ脊形波导单模条件和有效折射率法分析ＳｉＧｅ／Ｓｉ定向耦合器结构参数基础上，采用分子束外延和各向异性腐蚀技术制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ单模定向耦合器。在波长为１．３μｍ时，平均串音小于－１８．１ｄＢ，输出功率耦俣效率达
【机 构】
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西安交通大学电子工程系,上海复旦大学应用表面物理国家重点实验室
【出 处】
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红外与毫米波学报
【发表日期】
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1996年1期
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