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本文采用波长都是808nm，有源层分别是AlInGaAs和AlGaAs不同材料的两种激光器，针对其热特性做了对比实验．结果发现AlInGaAs应变量子阱激光器在斜率效率、阈值电流、特征温度等方面随温度变化的特性都优于AlGaAs激光器．在20℃时，特征温度可达到200K，阈值电流380mA，而且AlInGaAs激光器的寿命也高于AlGaAs激光器，最大寿命达4000h，这为改善半导体激光器热特性提供了有利依据，也拓宽了808nm激光材料的选择范围．