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采用光致发光（PL）谱和傅里叶变换红外（FTIR）谱研究了掺铒a-SiOx:H（a-SiOx:H（Er)薄膜在不同退火温度下光学性质和微观结构的变化，PL谱的测量结果表明，薄膜在1．54um的Er^3+发光和750nm处的可见发光随退火温度有相同的变化趋势，这种变化和薄膜在退火过程中微观结构的变化有着密切关系，FTIR谱的分析表明：a-SiOx:H薄膜是一种两相结构，富硅和镶嵌在富氧相中，两者的成分可近似用a-SiOx=0.3:H和a-SiOx=1.5：H表示，前者性质接近于氢化非晶硅（a-SiOx:H）