MOCVD生长的GaN单晶膜的蓝带发光研究

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wangyingygp
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对实验室用MOCVD方法生长的未掺杂GaN单晶膜的发光性能进行了研究。结果表明:在室温时未掺杂GaN单晶出现的能量为2.9eV左右蓝带发光与被偿度有较强的依赖关系。高补偿GaN的蓝带发射强,低补偿GaN的蓝带发射弱。对蓝带发光机理进行了探讨,认为蓝 导带电子过至受主能级的发光(eA发光)。观察到降低GaN补偿度能提高GaN带边发射强度。
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