【摘 要】
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采用XRD和俄歇电子能谱(AES)等技术研究了钙钛矿型Gd2CuO4薄膜与基底Si和SiO2/Si的界面相互作用, 发现衬底对Gd2CuO4薄膜的晶化特性有很大影响. 以单晶Si为基底时, Gd2CuO4薄
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采用XRD和俄歇电子能谱(AES)等技术研究了钙钛矿型Gd2CuO4薄膜与基底Si和SiO2/Si的界面相互作用, 发现衬底对Gd2CuO4薄膜的晶化特性有很大影响. 以单晶Si为基底时, Gd2CuO4薄膜经600 ℃热处理1 h即可形成钙钛矿型晶体结构, 而以SiO2/Si为基底时, 经700 ℃热处理1 h才能形成较完善的钙钛矿型晶体结构. Gd2CuO4薄膜的晶粒度随热处理温度的升高而增大, 热处理时间对晶粒度则影响较小. AES深度剖析表明, 形成的薄膜组成均匀, 在界面上有一定程度的扩散. 以
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