薄层SOI场pLDMOS击穿机理研究

来源 :重庆邮电大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：fakemario

【摘要】

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【作者】

：

邓晓燕李庆李娟刘磊

【机构】

：

中国武警警官学院电子技术系

【出处】

：

重庆邮电大学学报(自然科学版)

【发表日期】

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2015年02期

【关键词】

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薄层SOI 场pLDMOS 场注入技术背栅效应击穿机理 thin layer SOI field pLDMOS field implant technolo

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为了解决薄层SOI(silicon-on-insulator)场LDMOS(laterally diffused metal oxide semiconductor)击穿电压偏低,容易发生背栅穿通的问题,提出一种基于场注入技术的薄层SOI场pLDMOS(p-channel lateral double-diffused MOSFET)。通过建立该场pLDMOS的穿通机制数学模型,分析了其4种击穿机理:背栅穿通、沟道横向穿通、横向雪崩击穿和纵向雪崩击穿。仿真结果表明,场注入技术穿过厚场氧层向下注入硼杂

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