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快速热处理对重掺As硅单晶中氧沉淀的影响
快速热处理对重掺As硅单晶中氧沉淀的影响
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xujie880112
【摘 要】
:
对重掺As硅片进行快速热处理,发现重掺As硅片中氧沉淀行为与快速热处理温度、保温时间和降温速度有很大的关系.随着快速热处理温度的升高、降温速度的增大和保温时间的延长,
【作 者】
:
孙世龙
刘彩池
郝秋艳
滕晓云
赵丽伟
赵彦桥
王立建
石义
【机 构】
:
河北工业大学信息功能材料研究所
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2006年z1期
【关键词】
:
重掺As硅片
快速热处理
氧沉淀
清洁区
【基金项目】
:
国家自然科学基金(批准号:60076001),河北省自然科学基金(批准号:E2005000057)和河北省教育厅(批准号:2004311)资助项目
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对重掺As硅片进行快速热处理,发现重掺As硅片中氧沉淀行为与快速热处理温度、保温时间和降温速度有很大的关系.随着快速热处理温度的升高、降温速度的增大和保温时间的延长,氧沉淀的密度增大.最后对影响的机理进行了讨论.
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