1.55μm波长InGaAsP微盘半导体激光器的室温激射性质

来源 :中国有色金属学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhongsichuang
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经过外延生长和腐蚀分离后,直径为1~10μm的独立微盘激光器件分别被粘附在多模光纤的端面上。在室温条件下采用光学泵浦,对该类器件均实现了脉冲和连续激射,输出波长在1.5~1.525μm之间,在脉冲和连续输出下阈值泵浦能量分别为64和109μW,激射波长随着热效应增加而呈现红移现象。该类器件在未来全光网络和集成光路中具有良好的应用前景。 After the epitaxial growth and corrosion separation, the diameter of 1 ~ 10μm independent microdisk laser devices were attached to the multimode fiber end face. At room temperature using optical pumping, these devices have achieved both pulsed and continuous lasing at output wavelengths between 1.5 and 1.525μm with pulsed and continuous outputs with lower threshold pump energies of 64 and 109μW, respectively, The wavelength shifts red with the increase of thermal effect. Such devices in the future all-optical network and integrated optical path has good application prospects.
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