【摘 要】
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据日本《O Plus E 》1991年第142期报道,日本理化学研究所开发新的无抗蚀剂腐蚀技术,通过激光在GaAs衬底上加工微细沟道。利用激光在衬底上产生表面等离子波及其干涉,成功地
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据日本《O Plus E 》1991年第142期报道,日本理化学研究所开发新的无抗蚀剂腐蚀技术,通过激光在GaAs衬底上加工微细沟道。利用激光在衬底上产生表面等离子波及其干涉,成功地制成了线性图形。今后可望应用于制作量子线器件等高性能半导体激光器。
According to Japan’s “O Plus E” No. 142 of 1991 report, Japan Institute of Chemistry and chemistry developed a new resist-free etching technology, the laser processing GaAs substrate on the tiny channel. The use of laser in the substrate surface plasmon wave and its interference, successfully made a linear graph. In the future is expected to be used in the production of quantum wire devices and other high-performance semiconductor lasers.
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