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分别采用电化学直流极化和交流阻抗技术。通过控制光照和溶液化学组分，研究了半导体硅片／氢氟酸体系的电化学特性和半导体性能。对ｐ（１００）和ｎ（１００）两种硅片的研究结果均表明，有光照条件下硅／氢氟酸界面上的电化学反应很容易发生且起着主导使用，而黑暗条件下硅片则处于消耗期，电化学反应难于发生，因而其半导体性能起着重要的作用。当溶液中有微量铜存在时，硅／溶液界面上的电化学反应将被加速，通过单独研究两种硅