【摘 要】
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晶圆(基板)左右着SiC功率元件的成本和性能。在ICSCRM上可以看到,很多SiC基板厂商都在着手开发口径6英寸(150mm)的产品。现在生产的功率元件SiC基板的最大口径为4英寸(100mm)
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晶圆(基板)左右着SiC功率元件的成本和性能。在ICSCRM上可以看到,很多SiC基板厂商都在着手开发口径6英寸(150mm)的产品。现在生产的功率元件SiC基板的最大口径为4英寸(100mm)。将口径增大到6英寸,有利于提高SiC
Wafers (substrates) dominate the cost and performance of SiC power components. As you can see on ICSCRM, many SiC substrate manufacturers are working on a 6-inch (150mm) diameter product. The current production of power components SiC substrate maximum diameter of 4 inches (100mm). Increasing the caliber to 6 inches will help improve SiC
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