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使用Atlas软件模拟了肖特基栅共振隧穿三极管。通过改变发射极长度、栅极金属和上层AlAs势垒的距离以及靠近AlAs势垒的GaAs层浓度，得到器件耗尽区边界以及所对应的I-V特性，由此分析和解释了器件结构参数对器件特性的影响，最后对器件在电路中的应用予以说明。
肖特基栅共振隧穿三极管（SGRTT）的器件模拟
【摘 要】
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使用Atlas软件模拟了肖特基栅共振隧穿三极管。通过改变发射极长度、栅极金属和上层AlAs势垒的距离以及靠近AlAs势垒的GaAs层浓度，得到器件耗尽区边界以及所对应的I-V特性，由此
【机 构】
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天津大学电子信息工程学院
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2006年3期
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