薄膜深亚微米SOI MOSFET的瞬态数值模拟

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：anjialaogong

【摘要】

：

采用数值模型成功地实现了薄膜深亚微米SOIMOSFET的瞬态数值模拟．为了提高模拟软件的计算效率和收敛速度，采用交替方向格式对载流子连续方程进行数值求解，得到了较为理想的模拟

【作者】

：

张兴王阳元

【机构】

：

北京大学微电子学研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1997年1期

【关键词】

：

VLSI SOI MOSFET 瞬态数值模拟 Computer simulationFilmsNumerical methodsSilicon on insul

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采用数值模型成功地实现了薄膜深亚微米SOIMOSFET的瞬态数值模拟．为了提高模拟软件的计算效率和收敛速度，采用交替方向格式对载流子连续方程进行数值求解，得到了较为理想的模拟结果．通过大量的模拟计算，较为详细地分析了薄膜深亚微米全耗尽SOIMOSFET的瞬态工作机理，为今后小尺寸CMOS／SOIVLSI电路的设计提供了理论基础．

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